鋁基碳化硅用途有哪些

鋁基碳化硅用途有哪些
     鋁基碳化硅是一種顆粒增強金屬基復(fù)合材料，采用Al合金作基體，按設(shè)計要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作增強體，構(gòu)成有明顯界面的多組相復(fù)合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。鋁基氮化硅復(fù)合材料目前還處于產(chǎn)業(yè)的早期，其應(yīng)用領(lǐng)域卻非常廣闊，但是還有不少人們不是很清楚的鋁基碳化硅應(yīng)用。鈞杰陶瓷科技有限公司是一家專注陶瓷生產(chǎn)、精密加工的高科技企業(yè)，我們擁有一支技術(shù)精湛的陶瓷燒結(jié)、CNC加工、磨削團隊，陶瓷精密零部件研發(fā)加工是我們的優(yōu)勢。今天重點說一下鋁基碳化硅用途有哪些？

    中文名 鋁基碳化硅 外文名 AlSiC 應(yīng)用領(lǐng)域 航空航天,微波集成電路,功率模塊 Si含量 70wt% SiC體積占比 50%-75% AlSiC研發(fā)較早，理論描述較為完善，有品種率先實現(xiàn)電子封裝材料的規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，滿足半導(dǎo)體芯片集成度沿摩爾定律提高導(dǎo)致芯片發(fā)熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的"輕薄微小"的發(fā)展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、軍用射頻系統(tǒng)芯片等封裝分析作用極為凸現(xiàn)，成為封裝材料應(yīng)用開發(fā)的重要趨勢。

     AlSiC具有高導(dǎo)熱率（180～240W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K），因此一方面AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片 和陶瓷基片實現(xiàn)良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生,甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上；另一方面AlSiC的熱導(dǎo)率是可伐合金的十倍，芯片 產(chǎn)生的熱量可以及時散發(fā)。這樣，整個元器件的可靠性和穩(wěn)定性大大提高。

   AlSiC是復(fù)合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整，因此產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計，能夠真正地做到量體裁衣，這是傳統(tǒng)的金 屬材料或陶瓷材料無法做到的。

     AlSiC的密度與鋁相當(dāng)，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領(lǐng)域的應(yīng)用。

AlSiC的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，另外AlSiC的抗震性比陶瓷好，因此是惡劣環(huán)境（震動較大，如航天、汽車等領(lǐng)域）下的首選材料。

AlSiC可以大批量加工，但加工的工藝取決于碳化硅的含量，可以用電火花、金剛石、激光等加工。

AlSiC可以鍍鎳、金、錫等，表面也可以進行陽極氧化處理。

金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上，用粘結(jié)劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。

AlSiC本身具有較好的氣密性。但是，與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。

AlSiC的物理性能及力學(xué)性能都是各向同性的。 使用AlSiC材料的意義

可以使集成電路的封裝性能大幅提高，使用鋁基碳化硅材料進行電子封裝，使封裝體與芯片的受熱膨脹相一致，并起到良好的導(dǎo)熱功能，解決了電路的熱失效問題；

批量使用AlSiC材料，可以降低封裝成本。本公司對于長期和大批量的訂貨實行特別優(yōu)惠，比目前使用W-Cu、Mo等貴金屬材料價格要便宜得多；

有效改良我國航天、軍事、微波和其他功率微電子領(lǐng)域封裝技術(shù)水平，提高功能，降低成本，加快我國航天和軍工產(chǎn)品的先進化。例如，過去以可伐（Kovar） 材料作為器件封裝外殼的地方，如果換作鋁基碳化硅外殼，重量就可減少為原來的三分之一，而導(dǎo)熱性能則增加為原來的十倍。

AlSiC封裝材料的開發(fā)成功，標志著中國企業(yè)不再是在封裝領(lǐng)域內(nèi)一個單純的藍領(lǐng)和加工者的角色，而是已經(jīng)有了自己的具備獨立技術(shù)內(nèi)核的封裝領(lǐng)先產(chǎn)品，填 補了國內(nèi)空白，在封裝領(lǐng)域內(nèi)是一項巨大的技術(shù)進步；使用西安創(chuàng)正新材料有限公司生產(chǎn)的AlSiC,就是支持民族工業(yè)，為相關(guān)領(lǐng)域的國產(chǎn)化做貢獻。

     優(yōu)優(yōu)越的性能使AlSiC比W-Cu、Mo、BeO、Kovar、Mo-Cu、AlN、AlSi、Al2O3等現(xiàn)用封裝材料具有更廣闊的越的性能使AlSiC比W-Cu、Mo、BeO、Kovar、Mo-Cu、AlN、AlSi、Al2O3等現(xiàn)用封裝材料具有更廣闊的使用空間 AlSiC材料的性能 AlSiC7牌號密度3.0±0.05 g/cm3;抗彎強度400MPa體積分數(shù)：70±3%熱導(dǎo)：≥180W/Mk,20℃）比熱：0.75J/gk,20℃電阻率：2.1 x10-5 W·cm線膨脹系數(shù)8.0±0.5x10-6(50-150℃)

     鋁基碳化硅應(yīng)用 大功率率IGBT 散熱基板；LED封裝照明；航空航天；微電子；殼體封裝；民用飛機、高鐵等領(lǐng)域。鈞杰陶瓷是一家專業(yè)從事鋁基碳化硅精密加工的企業(yè)，擁有先進的生產(chǎn)設(shè)備以及雄厚的技術(shù)能力。鈞杰陶瓷的精密陶瓷系列的產(chǎn)品，品種齊全、質(zhì)量最優(yōu)、物美價廉因此深受用戶認可與支持。鈞杰陶瓷聯(lián)系電話：134_128_56568。歡迎廣大客戶前來考察。